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 对于通用应用，基本半导体SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，从而将开关损耗降低高达 70% 至 80%，具体取决于转换器和电压和电流水平。IGBT 相关的较高损耗可能成为一个重要的考虑因素。热管理会增加使用 IGBT 的成本，而其较慢的开关速度会增加电容器和电感器等无源元件的成本。从整体系统成本来看SiC MOSFET加速替代IGBT已经成为各类新的电力电子设计中的主流趋势。基本半导体SiC MOSFET 更耐热失控。碳化硅导热性更强，可实现更好的设备级散热和稳定的工作温度。 |
| 公司名称： |
合肥倾佳电子有限公司 |
公司类型： |
企业单位 () |
| 所 在 地： |
安徽/合肥市 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2018 |
| 资料认证： |
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| 保 证 金： |
已缴纳 0.00 元 |
| 经营范围： |
杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌碳化硅SiC模块|杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代三菱IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代富士IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控丹佛斯功率模块|杨茜汽车级碳化硅SiC模块|杨茜34mm碳化硅SiC模块|杨茜62mm碳化硅SiC模块|杨茜ED3碳化硅SiC模块|杨茜PIM碳化硅SiC模块|SiC加速替代IGBT|山东SiC碳化硅MOSFET|基本半导体SiC MOSFET一级 |
| 销售的产品： |
杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌碳化硅SiC模块|杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代三菱IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代富士IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控丹佛斯功率模块|杨茜汽车级碳化硅SiC模块|杨茜34mm碳化硅SiC模块|杨茜62mm碳化硅SiC模块|杨茜ED3碳化硅SiC模块|杨茜PIM碳化硅SiC模块|SiC加速替代IGBT|山东SiC碳化硅MOSFET|基本半导体SiC MOSFET一级 |
| 采购的产品： |
杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌碳化硅SiC模块|杨茜SiC功率模块国产替代英飞凌IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代三菱IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代富士IGBT模块|杨茜SiC功率模块国产替代赛米控丹佛斯功率模块|杨茜汽车级碳化硅SiC模块|杨茜34mm碳化硅SiC模块|杨茜62mm碳化硅SiC模块|杨茜ED3碳化硅SiC模块|杨茜PIM碳化硅SiC模块|SiC加速替代IGBT|山东SiC碳化硅MOSFET|基本半导体SiC MOSFET一级 |
| 主营行业： |
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